新產(chǎn)品是非隔離型*3DC/DC轉(zhuǎn)換器IC，利用ROHM擅長(zhǎng)的模擬設(shè)計(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)而成，采用電源系統(tǒng)的BiCDMOS高耐壓工藝，可提供先進(jìn)工業(yè)設(shè)備所需的電源功能。

　　通過(guò)調(diào)整振蕩頻率以抑制特定頻率(如2.2MHz或以上)產(chǎn)生的噪音波峰的技術(shù)。

　　InnoSwitch4-CZ IC提供輸出恒壓恒流點(diǎn)可調(diào)的輸出特性，非常適合于高效緊湊型USB-PD適配器、高達(dá)110W的高功率密度反激設(shè)計(jì)以及高效的恒壓/恒流電源應(yīng)用。

　　在輸出出現(xiàn)過(guò)壓、欠壓的情況下，新器件會(huì)進(jìn)入自動(dòng)重啟動(dòng)或鎖存狀態(tài)的故障保護(hù)模式。

　　制造商:ROHM Semiconductor 產(chǎn)品種類:雙極晶體管 - 預(yù)偏置 配置:Dual 晶體管極性:PNP 典型輸入電阻器:10 kOhms 典型電阻器比率:1 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UMT-6 直流集電極/Base Gain hfe Min:20 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 50 V 集電極連續(xù)電流:- 100 mA 峰值直流集電極電流:100 mA Pd-功率耗散:150 mW 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 直流電流增益 hFE 最大值:30 高度:0.9 mm 長(zhǎng)度:2 mm 寬度:1.25 mm 商標(biāo):ROHM Semiconductor 產(chǎn)品類型:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased 工廠包裝數(shù)量3000 子類別:Transistors 零件號(hào)別名:UMB11N 單位重量:32 mg

　　BD9G500EFJ-LA不僅具有80V的高耐壓性能，而且還實(shí)現(xiàn)了在耐壓60V以上的DC/DC轉(zhuǎn)換器IC中超高的5A最大輸出電流。

　　通過(guò)安裝AI和IoT功能來(lái)提高性能的工業(yè)設(shè)備，以及配備更多功能的設(shè)備的小型化。

　　通過(guò)內(nèi)置低損耗MOSFET，雖為非同步整流，卻仍可在2A至5A很寬的輸出電流范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá)85%的功率轉(zhuǎn)換效率，更加節(jié)能。

　　SiSS52DN的FOM比上一代器件低29%，從而降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。